纳安解决方案公司
COMMANDS
NT5DS64M4CT ， NT5DS32M8CT ， NT5DS16M16CT
NT5DS64M4CS ， NT5DS32M8CS ， NT5DS16M16CS
真理表1a和1b提供由DDR SDRAM器件支持的命令的一个参考。每一个的口头描述
命令如下。
事实表1a ：命令
名称（功能）
取消选择（ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，然后开始读突发）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新（进入自刷新模式）
模式寄存器设置
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
L
H
H
H
L
L
L
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
L
地址
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
跨国公司
NOP
NOP
法案
读
写
BST
PRE
AR / SR
太太
笔记
1, 9
1, 9
1, 3
1, 4
1, 4
1, 8
1, 5
1, 6, 7
1, 2
1. CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2. BA0 ， BA1选择基本或扩展模式寄存器（ BA0 = 0 ， BA1 = 0选择模式寄存器; BA0 = 1 ， BA1 = 0选择
扩展模式寄存器; BA0 - BA1的其他组合被保留; A0 -A12提供的操作码被写入到所选择的模式
注册）。
3. BA0 - BA1提供银行地址和A0- A12提供行地址。
4. BA0 ， BA1提供银行地址; A0艾提供列地址（其中
i
= 9 ×8和9中， 11为4个） ; A10高使得自动预
充电功能（非永久） ， A10的低禁用自动预充电功能。
5. A10低： BA0 ， BA1确定哪些银行进行预充电。
A10 HIGH ：“不关心”的所有银行预充电和BA0 ， BA1被
6.此命令自动刷新，如果CKE高;自刷新如果CKE是低电平。
7.内部刷新计数器控制行和银行的处理;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
8.仅适用于突发读取与自动预充电禁用;这个命令是未知的（并且不应该用），用于读的脉冲串与自动
预充电使能或写突发
9.取消和NOP在功能上是可以互换的。
事实表1b ： DM操作
名称（功能）
写使能
写禁止
1.用于掩蔽写数据;与相应的数据提供一致。
DM
L
H
的DQ
有效
X
笔记
1
1
商务部＃ 14-02-044版本A ECN ＃ 01-1116
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参阅http://www.nanoamp.com
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