2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002K
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内容描述：	NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	7 页 / 296 K
品牌：	NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

无铅产品

http://www.ncepower.com

2N7002K

NCE N沟道

增强型功率MOSFET

一般特点

●

= 60V ，我

= 0.3A

DS （ ON）

< 3Ω @ V

=4.5V

DS （ ON）

< @ 2Ω V

=10V

ESD额定值： 2500V HBM

●

高功率和电流移交能力

●

被收购无铅产品

●

表面贴装封装

原理图

应用

- 直接

逻辑电平接口： TTL / CMOS

●驱动程序：

继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，

回忆，晶体管等。

•电池

供电系统

.Solid状态

继电器

SOT- 23顶视图

标志和引脚分配

包装标志和订购信息

器件标识

7002K

设备

2N7002K

器件封装

SOT-23

带尺寸

Ø180mm

胶带宽度

8 mm

QUANTITY

3000台

绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

符号

漏源电压

栅源电压

漏电流连续@电流脉冲（注1 ）

最大功率耗散

工作结存储温度范围

英镑

热特性

热阻，结到环境（注2 ）

θJA

极限

±20

0.3

0.8

0.35

-55到150

单位

℃

350

℃

电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

符号

条件

开关特性

漏源击穿电压

DSS

= 0V我

=250μA

民

典型值

最大

单位

无锡NCE功率半导体有限公司

第1页

v1.0

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