NCE0160S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NCE0160S
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内容描述：	NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 400 K
品牌：	NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

无铅产品

http://www.ncepower.com

NCE0160S

NCE N沟道

增强型功率MOSFET

描述

该NCE0160S采用先进的沟槽技术和

设计，提供优秀的研发

DS （ ON）

低栅极电荷。

此装置适用于在PWM时，负载切换和使用

一般用途的应用。

一般特点

●

= 100V ，我

=60A

DS （ ON）

<14mΩ @ V

=10V

●

特别设计的变流器与电源控制

●

高密度电池设计超低导通电阻

●

充分界定雪崩电压和电流

●

良好的稳定性和均匀性与高鹗

●

优秀的包装进行良好的散热

原理图

应用

●

电源开关的应用

硬开关和高频电路

不间断电源

标志和引脚分配

100 ％ UIS测试！

100%

-VDS

测试了！

采用PowerPAK SO- 8底视图

包装标志和订购信息

器件标识

NCE0160

设备

NCE0160S

器件封装

采用PowerPAK SO- 8

带尺寸

胶带宽度

QUANTITY

绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

符号

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流连续（T

=70℃)

漏电流脉冲

最大功率耗散

峰值二极管恢复电压

降额因子

单脉冲雪崩能量（注5 ）

工作结存储温度范围

极限

100

±25

105

0.84

550

-55到150

单位

V / ns的

W/℃

℃

(70℃)

dv / dt的

英镑

无锡NCE功率半导体有限公司

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