NCE20N60,NCE20N60F
无铅产品
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
概述
该
系列设备
采用先进的超结
技术和设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
与低
栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业
AC-DC开关电源对PFC， AC / DC电源的要求
转换以及工业电源应用。
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
650
190
20
V
mΩ
A
特点
✩新
技术用于高电压装置
ULOW
导通电阻和低的导通损耗
小
包
※超
低门电荷事业更低的驱动要求
●100%
雪崩测试
应用
●
●
●
功率因数校正（ PFC ）
开关模式电源（ SMPS ）
不间断电源（ UPS ）
原理图
包装标志和订购信息
设备
NCE20N60
NCE20N60F
器件封装
TO-220
TO-220F
记号
NCE20N60
TO-220
绝对最大额定值（T
C
=25℃)
参数
符号
漏源极电压（
V
GS =
0V）
V
DS
栅源电压（
V
DS =
0V)
V
GS
连续漏电流在Tc = 25℃
I
D（ DC）的
连续漏电流在Tc = 100℃
I
D（ DC）的
（注1 ）
I
DM （时脉）
漏电流脉冲
表1中。
漏源电压斜率， VDS = 480 V ， ID = 20 A， TJ =
125 °C
最大功率耗散（TC = 25
℃)
减免上述25
°C
（注2 ）
TO-220F
NCE20N60F
单位
V
V
20*
12.5*
60*
A
A
A
NCE20N60
600
±30
20
12.5
60
50
208
1.67
690
20
34.5
0.28
dv / dt的
V / ns的
W
W/
°C
P
D
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
（注1 ）
mJ
A
无锡NCE功率半导体有限公司
第1页
v1.0
NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
