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NCE2305 参数 Datasheet PDF下载

NCE2305图片预览
型号: NCE2305
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内容描述: NCE P沟道增强型功率MOSFET [NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 350 K
品牌: NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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无铅产品
http://www.ncepower.com
NCE2305
的nCE
P沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE2305采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
负荷开关或PWM应用。
S
G
D
一般特点
V
DS
= -8V ,我
D
= -4.1A
R
DS ( ON)
< 118mΩ @ V
GS
=-1.8V
R
DS ( ON)
<81mΩ @ V
GS
=-2.5V
R
DS ( ON)
< 68mΩ @ V
GS
=-4.5V
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
原理图
标志和引脚分配
应用
• PWM
应用
●负载
开关
“权力
管理
SOT- 23顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
2305
设备
NCE2305
器件封装
SOT-23
带尺寸
Ø180mm
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流 - 连续
I
D
漏电流-Pulsed (注1 )
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
极限
-8
±8
-4.1
-15
1.7
-55到150
单位
V
V
A
A
W
74
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V我
D
=-250μA
-8
典型值
最大
单位
V
无锡NCE功率半导体有限公司
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