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NCE3010S 参数 Datasheet PDF下载

NCE3010S图片预览
型号: NCE3010S
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内容描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 351 K
品牌: NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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无铅产品
http://www.ncepower.com
NCE3010S
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE3010S采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。它
可以在各种各样的应用中使用。
一般特点
V
DS
=30V,I
D
=10A
R
DS ( ON)
< 13.5mΩ @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
< 20MΩ @ V
GS
=4.5V
高密度电池设计超低导通电阻
充分界定雪崩电压和电流
原理图
应用
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源
标志和引脚分配
100 % UIS测试!
SOP- 8顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
3010S
设备
NCE3010S
器件封装
SOP-8
带尺寸
Ø330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
漏电流连续(T
C
=100℃)
漏电流脉冲
最大功率耗散
工作结存储温度范围
极限
30
±20
10
6
50
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
I
D
I
D
(100℃)
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到外壳(注2 )
R
θJC
50
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
无锡NCE功率半导体有限公司
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