NCE55H11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NCE55H11
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内容描述：	NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 377 K
品牌：	NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

无铅产品

http://www.ncepower.com

NCE55H11

NCE N沟道

增强型功率MOSFET

描述

该NCE55H11采用先进的沟槽技术和

设计，提供优秀的研发

DS （ ON）

低栅极电荷。它

可以在各种各样的应用中使用。

一般特点

●

=55V,I

=110A

DS （ ON）

< 7.5mΩ @ V

= 10V （典型值： 5.5mΩ ）

●

高密度电池设计超低导通电阻

●

充分界定雪崩电压和电流

●

良好的稳定性和均匀性与高鹗

●

优秀的包装进行良好的散热

●

特殊工艺技术，高ESD能力

原理图

应用

●

电源开关的应用

硬开关和高频电路

不间断电源

标志和引脚分配

100 ％ UIS测试！

100%

-VDS

测试了！

的TO-220顶视图

包装标志和订购信息

器件标识

NCE55H11

设备

NCE55H11

器件封装

TO-220

带尺寸

胶带宽度

QUANTITY

绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

符号

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

漏电流连续（T

=100℃)

漏电流脉冲

最大功率耗散

降额因子

单脉冲雪崩能量（注5 ）

工作结存储温度范围

极限

±20

110

390

200

1.33

1100

-55至175

单位

W/℃

℃

(100℃)

英镑

无锡NCE功率半导体有限公司

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