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    NCE7560K 参数 Datasheet PDF下载

    NCE7560K图片预览
    型号： NCE7560K
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 421 K
    品牌： NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
     浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCE7560K的Datasheet PDF文件第7页  
    NCE7560K
    http://www.ncepower.com
    无铅产品
    表2中。
    热特性
    参数
    符号
    R
    thJC
    R
    thJA
    价值
    1.05
    50
    单位
    ℃
    /W
    ℃
    /W
    热阻，结至外壳（最大）
    热阻，结到环境
    （最大）
    表3中。
    电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
    参数
    符号
    条件
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    LSS
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    I
    SD
    I
    SDM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    Tj=25℃,I
    SD
    =30A,V
    GS
    =0V
    Tj=25℃,I
    F
    =75A,di/dt=100A/μs
    V
    DD
    =30V,I
    D
    =2A,R
    L
    =15Ω
    V
    GS
    =10V,R
    G
    =2.5Ω
    V
    GS
    = 0V我
    D
    =250μA
    V
    DS
    =75V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =75V,V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V,V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250μA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =30A
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =30A
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =0V,
    F=1.0MHz
    民
    75
    典型值
    最大
    单位
    V
    开/关状态
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流（TC = 25 ℃ ）
    零栅压漏电流（T = 125 ℃ ）
    门体漏电流
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    动态特性
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    开关时间
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    源 - 漏二极管特性
    源极 - 漏极电流（体二极管）
    脉冲源极 - 漏极电流（体二极管）
    正向电压上
    （注1 ）
    反向恢复时间
    （注1 ）
    反向恢复电荷
    （注1 ）
    向前开启时间
    80
    320
    1.2
    53
    105
    A
    A
    V
    nS
    nC
    18.2
    15.6
    70.5
    13.8
    nS
    nS
    nS
    nS
    60
    3100
    310
    260
    100
    18
    27
    S
    PF
    PF
    PF
    nC
    nC
    nC
    1
    10
    ±100
    2
    3
    6.8
    4
    8
    μA
    μA
    nA
    V
    mΩ
    V
    DS
    =30V,I
    D
    =30A,
    V
    GS
    =10V
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    注意事项1 。
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    1.5%, R
    G
    = 25Ω ，开始TJ = 25 ℃
    无锡NCE功率半导体有限公司
    第2页
    v1.0

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