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NCE7580D 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NCE7580D
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内容描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET [NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 406 K
品牌: NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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无铅产品
http://www.ncepower.com
NCE7580D
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE7580D采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低栅极电荷。
此装置适用于在PWM时,负载切换和使用
一般用途的应用。
一般特点
V
DS
= 75V ,我
D
=80A
R
DS ( ON)
<8mΩ @ V
GS
=10V(Typ:6.5mΩ)
特殊工艺技术,高ESD能力
特别设计的变流器与电源控制
高密度电池设计超低导通电阻
充分界定雪崩电压和电流
良好的稳定性和均匀性与高鹗
AS
优秀的包装进行良好的散热
标志和引脚分配
原理图
应用
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源
TO- 263-2L顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
NCE7580D
设备
NCE7580D
器件封装
TO-263-2L
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
-
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
漏电流连续(T
C
=100℃)
漏电流脉冲
最大功率耗散
峰值二极管恢复电压
降额因子
单脉冲雪崩能量(注5 )
工作结存储温度范围
E
AS
极限
75
±25
80
78
320
30
170
1.13
580
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
V / ns的
W/℃
mJ
I
D
I
D
(100℃)
I
DM
P
D
dv / dt的
T
J
,T
英镑
无锡NCE功率半导体有限公司
第1页
v1.0