NCE7580
无铅产品
新洁�½
N
沟道增强型功率
MOSFET
描述
NCE7580采用先进的沟�½式技术提供�½�导通电阻(Rdson)，
�½�栅电荷，E
AS
高且稳定性，一致性�½。这种器件适合应用在
PWM，负�½½开关电路，UPS或其他的一些应用中。
产品概要
BV
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
典型值。
马克斯。
I
D
84
6.5
8.0
80
V
mΩ
mΩ
A
基本特性
●
V
DS
=75V；I
D
= 80A @ V
GS
=10V；
R
DS （ ON）
<8mΩ @ V
GS
=10V
●
先进的沟�½工艺技术
●
专门的设计保证电流�½�化以及功率控制的应用
●
为保证�½�导通电阻而特有的高单胞密度设计
●
较大的电流以及击穿电压�½�量
●
雪崩�½量保证
100%测试
UIS测试！
应用
●
●
●
功率�½�换
硬开关以及高频电路
不间断电源（ UPS ）
TO-220-3L
外�½�俯视图
内部原理图
封装打标和订购信息
器件打标
NCE7580
器件
7580
器件封装
TO-220-3L
卷�½�直径
-
带�½
-
数量
-
表
1.
工�½�条件（TA=25`C 有特殊说明除外）
参数
符号
极限值
75
±25
80
78
320
单�½�
V
V
A
A
A
漏源电压
(VGS=0V）
栅源电压
(VDS=0V)
漏极电流
（静态）在Tc = 25 ℃
漏极电流
（静态）在Tc = 100 ℃
漏极连续电流@脉冲电流
(注释 1)
二极管恢复电压峰值
最大功耗(Tc=25
℃
)
降额因数
单脉冲雪崩�½量(注释
2)
工�½�结温以及存储温度范围
V
DS
V
GS
I
D（ DC）的
I
D（ DC）的
I
DM （时脉）
dv / dt的
30
170
1.13
V / ns的
W
W/℃
P
D
E
AS
580
-55至175
mJ
℃
T
J
,T
英镑
注释
1.
脉冲�½度受限于最大结温度
2. E
AS
测试条件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH
,I
D
=62A;
无锡新洁�½功率半导�½�有限公司
第
1
页
版本
1.1
NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
