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2SA1615 参数 Datasheet PDF下载

2SA1615图片预览
型号: 2SA1615
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内容描述: PNP硅外延晶体管的高速开关 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 120 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅功率晶体管
2SA1615 , 1615 -Z
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
的2SA1615和1615 -Z的可用于大电流控制在小尺寸由于低饱和
,是理想的高效率DC / DC转换器,由于开关速度快。
特点
•大电流容量:
I
C( DC )
:
−10
A,I
C(脉冲)
:
−15
A
•高ħ
FE
和低集电极饱和电压:
h
FE
= 200分钟。 ( @V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−0.5
A)
V
CE ( SAT )
≤ −0.25
V( @I
C
=
−4.0
A,I
B
=
−0.05
A)
质量等级
•标准
请参考NEC发布的“质量等级NEC半导体器件” (文档编号C11531E )
公司知道质量等级的设备和推荐应用的规范。
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
I
B( DC )
P
T
(T
a
= 25°C)**
P
T
(T
c
= 25°C)
T
j
T
英镑
评级
−30
−20
−10
−10
−15
−0.5
1.0
15
150
−55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
10毫秒,占空比
50%
**印刷电路板安装
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16119EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年4月ñ CP ( K)
日本印刷
©
2002