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2SA1648 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1648
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内容描述: PNP硅外延晶体管的高速开关 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 156 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅功率晶体管
2SA1648,1648-Z
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
1.6 ±0.2
1
2
3
•可用于小尺寸高电流控制
• Z型是引线加工的产物,是处理用于安装
混合集成电路。
•模具包,不需要绝缘板或
绝缘套管
•低集电极饱和电压:
V
CE(sat)1
=
−0.3
V MAX 。 (我
C
=
−3.0
A)
•开关速度快:
t
f
= 0.3
µ
s最大。 (我
C
=
−3.0
A)
•高直流电流增益,出色的线性度
1.1 ±0.2
7.0分钟。
13.7 MIN 。
特点
5.5 ±0.2
该2SA1648是开发高模功率晶体管
高速开关,并配有非常低的集电极 - 发射极
饱和电压。
该晶体管非常适合用在开关稳压器, DC / DC
转换器,电机驱动器,螺线管驱动器,和其他低电压
电源设备,以及用于高电流开关。
封装图(单位:mm )
1.5
−0.1
+0.2
6.5 ±0.2
5.0 ±0.2
4
2.3 ±0.2
0.5 ±0.1
0.5
−0.1
2.3 2.3
0.75
+0.2
0.5
−0.1
+0.2
的TO- 251 (MP -3)
1.5-
0.1
+0.2
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
0.8 4.3 MAX 。
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功率耗散( TC = 25 ° C)
总功耗( TA = 25 ° C)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
注1
评级
−100
−60
−7.0
−5.0
−10
−2.5
18
1.0
注2
单位
V
V
V
A
A
A
W
6.5±0.2
5.0±0.2
4
2.3±0.2
0.5±0.1
1
2
3
2.0
分钟。
5.5±0.2
10.0 MAX 。
1.1±0.2
0.9
0.8
最大。最大。
2.3 2.3
0.8
I
B( DC )
P
T
P
T
T
j
T
英镑
TO- 252 ( MP3Z )
, 2.0
注3
W
°C
°C
电极连接
1.
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
珍藏(FIN )
150
−55
+150
注意事项1 。
PW
300
µ
S,占空比
10%
2.
印刷电路板安装
3.
7.5 mm
2
×
0.7毫米陶瓷板装
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一号文件D16121EJ3V0DS00 (第3版)
发布日期2004年8月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
c
0.7
1.0分钟。
1.8TYP.
2002