2SB1094 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1094
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内容描述：	PNP硅外延晶体管低频功率放大器 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER]
分类和应用：	晶体放大器晶体管功率放大器
文件页数/大小：	4 页 / 122 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

硅功率晶体管

2SB1094

PNP硅外延晶体管

低频功率放大器

特点

•该2SB1094功能收视覆盖面广的

应用，是理想的电源或多种驱动器

在音频和其它设备：

首席执行官

≥ −60

V, V

EBO

≥ −7.0

V，I

C（ DC ）

≤ −3.0

•模具包，不需要绝缘板或

绝缘套管

•与2SD1585互补晶体管

封装图（单位：mm ）

质量等级

•标准

请参考“质量等级NEC半导体设备”

（文档编号C11531E ）由NEC公司公布的认识

的质量等级上的设备和说明书中其

推荐应用。

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

B（ DC ）

（ TC = 25 ° C）

（ TA = 25°C ）

英镑

评级

−60

−7.0

−3.0

−5.0

−0.6

2.0

150

−55

+150

单位

°C

电极连接

1.基地

2.收集

3.辐射源

* PW

≤

10毫秒，占空比

≤

50%

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D16186EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月ñ CP （ K）

日本印刷

2002

1998

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