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2SC2335 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2335
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内容描述: NPN硅三重DIFFUSED晶体管用于高速高压开关 [NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压
文件页数/大小: 6 页 / 111 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅功率晶体管
2SC2335
NPN硅TRIPLE DIFFUSED晶体管
高速高压开关
该2SC2335是用于高速开发了模具功率晶体管
高压开关,并且非常适合用作设备,例如驾驶员
作为开关稳压器,DC / DC转换器,和高频功率
放大器器。
订购信息
产品型号
2SC2335
TO-220AB
特点
•低集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1.0 V MAX 。 @I
C
= 3.0 A
•开关速度快:吨
f
= 1.0
µ
s最大。 @I
C
= 3.0 A
•宽底座反向偏置SOA : V
CEX(SUS)1
= 450 V MIN 。 @I
C
= 3.0 A
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
I
B( DC )
P
T
T
j
T
英镑
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
PW
300
µ
s,
占空比
10%
条件
评级
500
400
7.0
7.0
15
3.5
40
1.5
150
−55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D14861EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月ñ CP ( K)
日本印刷
©
2002
1998