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    2SC3356 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3356图片预览
    型号： 2SC3356
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 微波低噪声放大器（ NPN硅外延型晶体管） [MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)]
    分类和应用： 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
    文件页数/大小： 8 页 / 103 K
    品牌： NEC [ NEC ]
     浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC3356的Datasheet PDF文件第8页  
    数据表
    数据表
    硅晶体管
    2SC3356
    微波低噪声放大器
    NPN硅外延型晶体管
    描述
    该2SC3356是专为低一个NPN硅外延晶体管
    噪声放大器的VHF ， UHF和CATV波段。
    它具有的动态范围和良好的电流特性。
    0.4
    −0.05
    +0.1
    包装尺寸
    （单位：毫米）
    2.8±0.2
    1.5
    0.65
    −0.15
    +0.1
    特点
    •低噪声和高增益
    0.95
    0.95
    2.9±0.2
    NF = 1.1 dB典型值。 ，G
    a
    = 11 dB典型值。 @V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1.0 GHz的
    •高功率增益
    MAG = 13 dB典型值。 @V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 20 mA时， F = 1.0 GHz的
    2
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25
    
    C)
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    
    65
    20
    12
    3.0
    100
    200
    150
    +150
    V
    V
    V
    mA
    mW
    
    C
    
    C
    0.3
    记号
    1.1至1.4
    引脚连接
    1.发射器
    2.基
    3.收集
    电气特性（T
    A
    = 25
    
    C)
    特征
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    反馈电容
    插入功率增益
    噪声系数
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    *
    f
    T
    C
    re
    **
    50
    120
    7
    0.55
    11.5
    1.1
    2.0
    1.0
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    1.0
    1.0
    300
    GHz的
    pF
    dB
    dB
    单位
    测试条件
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = 1.0 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 20毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 20毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 20 mA时， F = 1.0 GHz的
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 7 mA时， F = 1.0 GHz的
    
    A
    
    A
    
    S
    21
    e
    
    2
    NF
    *
    脉冲测量PW
    
    350
    
    S，占空比
    
    2 %
    **的发射端和外壳应连接到三端电容桥的守卫终端。
    h
    FE
    分类
    类
    记号
    h
    FE
    R23 / Q *
    R23
    50至100
    R24/R *
    R24
    80至160
    R25 / S *
    R25
    125至250
    *旧规格/新规范
    一号文件P10356EJ5V1DS00 （第5版）
    发布日期1997年三月ñ
    日本印刷
    0-0.1
    ©
    0.16
    −0.06
    +0.1
    0.4
    −0.05
    +0.1
    1
    3
    1985

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