数据表
数据表
硅晶体管
2SC3583
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
描述
该2SC3583是设计用于在使用一个NPN外延硅晶体管
低噪声和VHF频段小信号放大器UHF频段。低
噪声系数，高增益和高电流的能力实现了非常宽的
动态范围和出色的线性度。这是通过直接氮化物来实现
钝化的基面处理（ DNP过程），这是一个NEC
专有的新的制造技术。
包装尺寸
（单位：毫米）
2.8±0.2
0.4
−0.05
+0.1
1.5
0.65
−0.15
+0.1
0.95
0.95
特点
NF -
•嘎
1.2分贝TYP 。
13分贝TYP 。
@f = 1.0 GHz的
@f = 1.0 GHz的
2.9±0.2
2
绝对最大额定值（T
A
= 25
C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
20
10
1.5
65
200
150
65〜 150
V
V
V
mA
mW
C
C
0.3
记号
1.1至1.4
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性（T
A
= 25
C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
f
T
C
re
**
50
100
9
0.35
11
13
15
1.2
2.5
0.9
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
E
= 0
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V，I
E
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
A
A
S
21e
2
MAG
NF
*脉冲测量PW
350
S，占空比
2 %
**的发射端和外壳应连接到三端电容桥的gurad终端。
h
FE
分类
类
记号
h
FE
R33 / Q *
R33
50至100
R34/R *
R34
80至160
R35 / S *
R35
125至250
*旧规格/新规范
一号文件P10360EJ4V1DS00 （第4版）
发布日期1997年三月ñ
日本印刷
0-0.1
©
0.16
−0.06
+0.1
0.4
−0.05
+0.1
1
3
1984
NEC [ NEC ]
