2SC4536 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC4536
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内容描述：	微波低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 [MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
文件页数/大小：	8 页 / 61 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

硅晶体管

2SC4536

微波低噪声放大器

NPN硅外延

晶体管

描述

该2SC4536设计用于在中等功率，低失真低

噪声系数RF放大器。它具有出色的线性度和大动态

范围内，这使得它适合于有线电视，电信和其它用途，

它采用塑料表面贴装型封装（ SOT- 89 ）。

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

包装尺寸

（单位：毫米）

•低失真

= 57.5分贝TYP 。 @ V

= 10 V，I

= 50毫安

= 82分贝TYP 。

- 低噪声

NF = 1.5 dB典型值。

@ V

= 10 V，I

= 10 mA时， F = 1 GHz的

高功率耗散。

•电源小型模具包中。

@ V

= 10 V，I

= 50毫安

0.8分钟。

0.42

±0.06

1.5

0.42±0.06

0.47

±0.06

3.0

0.41

+0.05

−0.03

绝对最大额定值（T

= 25

最大电压和电流（T

= 25

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

最大功率耗散

总功耗

在25

C环境温度P

最高温度

结温

存储温度范围

英镑

长期，连接

E：发射器

C：集电极（FIN ）

B：基本

(SOT-89)

CBO

首席执行官

EBO

3.0

250

2.0

150

+150

* 0.7 mm

16厘米

双面陶瓷基板。（镀铜）

一号文件P10369EJ2V1DS00 （第2版）

发布日期1997年三月ñ

日本印刷

4.0±0.25

2.5±0.1

特点

1994

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