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型号: 2SC4703
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内容描述: 微波低噪声,低失真放大器NPN硅外延型晶体管 [MICROWAVE LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体放大器晶体管微波
文件页数/大小: 8 页 / 67 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅晶体管
2SC4703
微波低噪声,低失真放大器
NPN硅外延型晶体管
描述
该2SC4703是专为低失真,低噪声射频放大器
低电源电压下工作(V
CE
= 5 V).
这种低失真
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
包装尺寸
(单位:毫米)
特性使其适用于CATV ,远程通讯等
使用。它采用表面贴装型塑料封装,功耗Mini模具
(SOT-89).
特点
•在低电源电压的低失真。
IM
2

55分贝典型值, IM
3

76分贝TYP 。
@V
CE
= 5 V,I
C
= 50 mA时, V
O
= 105分贝

/75

•大P
T
表面贴装型封装。
0.8分钟。
0.42
±0.06
E
1.5
C
B
0.42±0.06
0.47
±0.06
3.0
0.41
+0.05
−0.03
绝对最大额定值(T
A
= 25

C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
25
12
2.5
150
1.8
150
V
V
V
mA
W
长期,连接
E:发射器
C:集电极(FIN )
B:基本
(SOT-89)

55〜 150

C

C
* 0.7 mm

16厘米双面陶瓷基板。 (镀铜)
一号文件P10375EJ2V1DS00 (第2版)
发布日期1997年三月ñ
日本印刷
©
4.0±0.25
2.5±0.1
1994