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2SC5186-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5186-T1
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内容描述: NPN外延硅晶体管超超MINI-模压封装低噪音微波放大 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION]
分类和应用: 晶体晶体管微波光电二极管放大器
文件页数/大小: 12 页 / 60 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅晶体管
2SC5186
NPN外延硅晶体管超超MINI- MOLD包装
低噪音微波放大
特点
- 低噪声
NF = 1.3分贝
NF = 1.3分贝
典型值。
典型值。
包装尺寸
@ V
CE
= 2 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
@ V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
2
1.6 ± 0.1
1.0
0.2
+0.1
–0
0.5
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
(单位:毫米)
•超超级迷你模具包
订购信息
部分
2SC5186
2SC5186-T1
86
0.5
QUANTITY
50单位/箱
3 000个/卷
安排
压纹带, 8mm宽,
引脚3 (珍藏)面临的穿孔。
3
1
评价(在50个批次可用)。
0.6
*
请联系您的NEC销售代表订购样品
0.75 ± 0.05
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
5
3
2
30
90
150
-65到+150
V
V
V
mA
mW
˚C
˚C
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
注意事项;
该晶体管采用高频技术。注意不要让过量的电流流过晶体管,包括静电。
一号文件P12110EJ2V0DS00 (第2版)
(上一页第TC- 2483 )
发布日期1996年十一月ñ
日本印刷
0-0.1
©
1994