2SC5195 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5195
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内容描述：	微波低噪声放大器NPN硅外延型晶体管 [MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 65 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

硅晶体管

2SC5195

微波低噪声放大器

NPN硅外延型晶体管

特点

•低电压工作，低相位失真

- 低噪声

NF = 1.5 dB典型值。 @V

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 2 GHz的

NF = 1.5 dB典型值。 @V

= 1 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz的

•大绝对最大集电极电流

封装图纸

（单位：毫米）

1.6±0.1

0.8±0.1

0.5 0.5

1.6±0.1

1.0

0.2

–0

+0.1

= 100毫安

• SuperCompact的迷你模具套餐

订购信息

产品型号

2SC5195

QUANTITY

在散装产品

（ 50个）

录音产品

（ 3 KPCS /卷）

包装方式

压纹带8mm宽。

引脚3 （珍藏）面的侧面穿孔

磁带。

0.75±0.05

0.6

2SC5195-T1

备注

如果您需要评估样品，请联系NEC

销售代表。（单位样本数量为50个。）

绝对最大额定值（T

= 25

°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

125

150

-65到+150

单位

˚C

引脚连接

1.发射器

2.基

3.收集

该设备采用射频技术。采取适当的预防措施以保护其免受过大的输入电平，如静电。

一号文件P10398EJ2V0DS00 （第2版）

（上一页第TD- 2488 ）

发布日期1995年P月

日本印刷

0-0.1

0.15

–0.05

+0.1

0.3

–0

+0.1

1994

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