数据表
硅晶体管
2SD1615 ， 2SD1615A
NPN硅外延晶体管
POWER MINI模具
描述
2SD1615 ， 1615A是专为音频功率放大器和开关的应用，特别是
在混合集成电路。
特点
•世界标准小型封装
•低V
CE （SAT）
V
CE （ SAT ）
= 0.15 V
•补到2SB1115 ， 2SD1115A
包装尺寸
以毫米为单位
4.5 ± 0.1
绝对最大额定值
最大电压和电流（T
A
= 25℃） 2SD1615 2SD1615A
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
120
集电极到发射极电压
V
首席执行官
50
60
发射器基极电压
V
EBO
6
集电极电流（ DC ）
I
C
1
集电极电流（脉冲） *
I
C
2
最大功率耗散
总功耗
在25℃环境温度** P
T
2.0
最高温度
结温
T
j
150
-55到+150
存储温度范围
T
英镑
*
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
**
当安装在为16cm的陶瓷基片
2
×
0.7 mm
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
1.6 ± 0.2
4.0 ± 0.25
1.5 ± 0.1
0.8分钟。
E
0.42
± 0.06
C
B
0.42 ± 0.06
1.5
0.47
± 0.06
3.0
1.发射器
2.收集
3. BASE
0.03
0.41
+ 0.05
–
电气特性（T
A
= 25 ˚C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
***
h
FE2
***
V
CE （ SAT ）
***
V
BE （ SAT ）
***
V
BE
***
f
T
600
80
160
135
135
81
270
0.15
0.9
0.3
1.2
700
V
V
mV
兆赫
290
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
100
100
100
600
400
nA
nA
nA
2SD1615
2SD1615A
2SC1615
2SD1615A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
I
C
= 1.0 A，I
B
= 50毫安
I
C
= 1.0 A，I
B
= 50毫安
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 50毫安
V
CE
= 2.0 V，I
E
= -100毫安
测试条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 100毫安
V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0
输出电容
C
ob
19
pF
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
***
脉冲： PW
≤
350
µ
S，占空比
≤
2 %
h
FE
分类
记号
h
FE
一号文件D10198EJ3V0DSD0 （第3版）
（上一页第TC- 5810A ）
发布日期1995年P月
日本印刷
2SD1615
2SD1615A
GM
GQ
135〜 270
GL
GP
200至400
GK
300至600
2.5 ± 0.1
©
1985
NEC [ NEC ]
