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型号: 2SD2583
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内容描述: 音频功放,开关NOPN硅外延晶体管 [AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NOPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体开关晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 8 页 / 48 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
硅晶体管
2SD2583
音频功放,开关
NOPN硅外延晶体管
特点
低V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
= 0.15 V最大( @l
C
/l
B
= 1.0 A / 50 mA)的
高直流电流增益
h
EF
= 150〜 600( @V
CE
= 2.0 V,L
C
= 1.0 A)
包装尺寸
毫米(英寸)
8.5 MAX 。
2.8 MAX 。
( 0.334 MAX 。 )
( 0.110 MAX 。 )
φ
3.2 ± 0.2 (
φ
0.126)
12.0最大。
( 0.472 MAX 。 )
最大电压和电流(T
A
= 25
°C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极Volteage
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲) *
基极电流(DC)的
* PW
为10ms ,占空比
10 %
最大功率耗散
总功率耗散(T
C
= 25
°C)
总功率耗散(T
A
= 25
°C)
最高温度
结温
储存温度
P
T
P
T
T
j
T
英镑
10 W
1.0 W
150
°C
−55
150
°C
V
CB0
V
CE0
V
EB0
I
C( DC )
I
C(脉冲)
I
B( DC )
30 V
30 V
6.0 V
5.0 A
10 A
2.0A
1 2 3
2.5 ± 0.2
(0.098)
13.0最小。
( 0.512 MIN 。 )
1.2
(0.047)
0.55
+0.08
−0.05
(0.021)
0.8
+0.08
−0.05
(0.031)
2.3 2.3
(0.090) (0.090)
1.2
(0.047)
1.发射器
2.集电极连接到安装平面
3. BASE
电气特性(T
A
= 25
°C)
特征
集电极截止Currnet
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
集电极饱和电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
符号
I
CB0
I
EB0
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 30 V,I
E
= 0
V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 1.0 A
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 4.0 A
I
C
= 1.0 A,I
B
= 50毫安
I
C
= 2.0 A,I
B
= 0.1 A
I
C
= 4.0 A,I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.0 A,I
B
= 0.1 A
V
CE
= 10 V,I
E
= 50毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
150
50
0.07
0.13
0.24
0.86
120
77
0.15
0.25
0.50
1.50
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
600
单位
nA
nA
V
V
V
V
兆赫
pF
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件D10628EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
©
φ
3.2 ± 0.2
(
φ
0.126)
绝对最大额定值
3.8 ± 0.2 (0.149)
1996