2SD560 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD560
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内容描述：	NPN硅外延晶体管（达林顿连接）低频功率放大器和低速开关 [NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING]
分类和应用：	晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
文件页数/大小：	6 页 / 92 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

硅功率晶体管

2SD560

NPN硅外延晶体管（达林顿连接）

低频功率放大器和低速开关

该2SD560是低开发模具功率晶体管

频功率放大器和低速开关。此晶体管是

理想的用于从诸如脉冲装置的集成电路的输出直接驱动

电机驱动器和继电器驱动器，以及PC终端。

订购信息

订购名称

2SD560

包

TO-220AB

特点

• C到-E反向二极管插入

•低集电极饱和电压

(TO-220AB)

绝对最大额定值（T

= 25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

B（ DC ）

英镑

= 25°C

≤

10毫秒，

占空比

≤

50%

条件

评级

150

100

7.0

±5.0

±8.0

0.5

1.5

150

−55

+150

单位

°C

内部等效电路

1.基地

2.收集

3.辐射源

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证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D14863EJ3V0DS00 （第3版）

发布日期2002年4月ñ CP （ K）

日本印刷

2002

1998

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