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2SJ243 参数 Datasheet PDF下载

2SJ243图片预览
型号: 2SJ243
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内容描述: P沟道MOS FET切换 [P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 63 K
品牌: NEC [ NEC ]
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数据表
MOS场效应
2SJ243
P沟道MOS场效应管
切换
该2SJ243是一个P沟道纵型MOS场效应管被驱动
在2.5 V.
因为这个MOS场效应管可以被驱动在低电压和
因为没有必要考虑在驱动电流,该
2SJ243非常适用于驱动节电系统的执行机构,
1.6 ± 0.1
包装尺寸(单位:mm )
0.3 ± 0.05
0.1
+0.1
–0.05
此外, 2SJ243被容纳在一个超小型微型模
包,以便它可以帮助增加在安装密度
印刷电路板,并降低安装成本,有助于
小型化的应用系统。
0.8 ± 0.1
如录像机摄像头和耳机立体声系统。
D
0-0.1
G
0.2
+0.1
–0
0.5
0.5
0.6
0.75 ± 0.05
S
特点
•小安装面积:约60%的常规微型模具的
包装( SC- 70 )
•可通过3 -V IC直接驱动
•可以自动安装
1.0
1.6 ± 0.1
等效电路
漏极(四)
在右边的图中的内部二极管的寄生二极管。
保护二极管是保护免受损害产品
由于静电。如果有一种危险,即极
高电压会在栅极和源极中的应用
实际电路中,栅极保护电路,例如外部
恒压二极管是必要的。
栅极(G )
栅极保护
二极管
源极(S )
内部二极管
引脚连接
S:源
D:漏
G:门
标记: A1
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
PW
10毫秒
占空比
50 %
3.0厘米
2
×
0.64毫米,采用陶瓷基板
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
等级
–30
±7
±100
±200
单位
V
A
mA
mA
总功耗
通道温度
工作温度
储存温度
P
T
T
ch
T
选择
T
英镑
200
150
-55到+80
-55到+150
mW
˚C
˚C
˚C
一号文件D11215EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996