数据表
MOS场效应
2SJ356
P沟道MOS场效应管
对于高速切换
该2SJ356是一个P沟道垂直型的MOS场效应管和是
这可以通过一个输出直接驱动开关元件
IC工作在5 V.
本产品具有低导通电阻和高超的切换
特点，是理想的驱动执行器和DC / DC
转换器。
包装尺寸（单位：mm ）
4.5 ±0.1
1.6 ±0.2
1.5 ±0.1
特点
•可通过5 -V IC直接驱动
•低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.95
Ω
MAX 。 @V
GS
= -4 V，I
D
= –1.0 A
R
DS （ ON）
= 0.50
Ω
MAX 。 @V
GS
= -10 V，I
D
= –1.0 A
0.8分钟。
S
0.42
±0.06
1.5
D
G
0.47
±0.06
3.0
0.42
±0.06
4.0 ±0.25
0.41
+0.03
–0.05
等效电路
漏极（四）
栅极（G ）
门
保护
二极管
源极（S ）
国内
引脚连接
二极管
S：源
D：漏
G：门
标记： PR
绝对最大额定值（T
A
= 25 ˚C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
≤
10毫秒
占空比
≤
1 %
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
16厘米
2
×
0.7mm时，所使用的陶瓷基片
2.0
150
-55到+150
W
˚C
˚C
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
等级
–60
–20/+10
±2.0
±4.0
单位
V
V
A
A
连接的这种产品的栅极和源极之间的内部二极管，以保护产品免受静电
电力。如果产品被用在电路中的产品的额定电压可以超过，连接
一个保护电路。
采取防静电足够的预防措施处理该产品时。
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一号文件D11218EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
2.5 ±0.1
1996
NEC [ NEC ]
