2SJ449 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ449
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内容描述：	切换P沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 121 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SJ449

开关

P沟道功率MOS FET

工业用

描述

该2SJ449是P沟道MOS场效应晶体管DE-

签订了高压开关应用。

包装尺寸

（单位：毫米）

10.0 ±0.3

3.2 ±0.2

4.5 ±0.2

2.7 ±0.2

特点

•

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.8

Ω

MAX 。（ @ V

= -10 V，I

= –3.0 A)

15.0 ±0.3

12.0 ±0.2

13.5

分钟。

•

低C

国际空间站

= 1040 pF的典型。

•

高雪崩能力评级

•

孤立的TO-220封装

绝对最大额定值（T

= 25 ˚C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲） *

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

–250

6.0

˚C

0.7 ±0.1

2.54

4 ±0.2

3 ±0.1

1.3 ±0.2

1.5 ±0.2

2.54

0.65 ±0.1

2.5 ±0.1

总功率耗散（T

= 25℃） P

总功率耗散（T

= 25℃） P

通道温度

储存温度

单雪崩电流**

单雪崩能量**

≤

S，占空比

≤

1 %

英镑

2.0

150

–6.0

180

-55〜 + 150℃

1 2 3

1.门

2.漏

3.源

MP- 45F （隔离TO- 220 ）

漏

起始物为

= 25 ° C，R

= 25

Ω,

= –20 V

→

门

体

二极管

来源

文档编号D10030EJ1V0DS00

发布日期1995年P月

日本印刷

1995

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