2SJ463A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ463A
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内容描述：	P沟道MOS场效应晶体管高速开关 [P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING]
分类和应用：	晶体开关晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 65 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SJ463A

P沟道MOS场效应晶体管

对于高速开关

描述

该2SJ463A是，它们可以直接被驱动的开关装置

以2.5 V电源。

该2SJ463A具有优异的开关特性，并且是

适于用作在数字电路的高速开关装置。

封装图（单位：mm ）

0.3

+0.1

–0

2.0 ±0.2

0.65 0.65

2.1 ±0.1

1.25 ±0.1

•可以通过一个2.5 V电源驱动。

0.3

•低栅极截止电压。

记号

绝对最大额定值（T

= 25

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

–30

+20

+0.1

+0.4

记

°C

0.9 ±0.1

150

-55到+150

等效电路

漏

电极

连接

1.源

2.门

3.排水

内部二极管

记

≤

S，占空比

≤

1 %

门

门保护

二极管

来源

标记： H21

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此

设备的实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定电压

可应用于该设备。

一号文件D11198EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

0至1.1

0.15

+0.1

–0.05

0.3

+0.1

–0

特点

1996

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