数据表
MOS场效应功率晶体管
2SJ494
切换P沟道功率MOS FET工业用
描述
本产品是P沟道的MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
包装尺寸
（以毫米）
10.0±0.3
4.5±0.2
3.2±0.2
2.7±0.2
15.0±0.3
3±0.1
4±0.2
特点
•超低导通电阻
R
DS(on)1
= 50 M：最大。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –10 A)
R
DS(on)2
= 88 M：最大。 （V
GS
= -4 V，I
D
= –10 A)
•低C
国际空间站
C
国际空间站
= 2360 pF的典型。
0.7±0.1
2.54
•内置栅极保护二极管
13.5最小。
12.0±0.2
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
门源电压*
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） **
总功率耗散（T
C
= 25 °C)
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
通道温度
储存温度
V
DSS
V
GSS （AC）的
V
GSS （DC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
–60
–
+20
–20, 0
–
+20
–
+80
35
2.0
150
-55到+150
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
1 2 3
隔离TO- 220 （ MP- 45F ）
漏
* F = 20 kHz时，占空比
d
10 ％ （ +侧）
** PW
d
10
P
S，占空比
d
1%
门
体
二极管
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
3.57 ° C / W
62.5 ° C / W
栅极保护
二极管
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此
设备实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过额定电压
可应用于该设备。
一号文件D11266EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1998年1月ñ CP （ K）
日本印刷
©
1998
NEC [ NEC ]
