数据表
MOS场效应功率晶体管
2SJ495
切换P沟道功率MOS FET工业用
描述
本产品是P沟道的MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
包装尺寸
（以毫米）
10.0 ± 0.3
3.2 ± 0.2
4.5 ± 0.2
2.7 ± 0.2
特点
•超低导通电阻
3 ± 0.1
4 ± 0.2
R
DS(on)2
= 56 mΩ以下。 （V
GS
= -4 V，I
D
= –15 A)
•低C
国际空间站
C
国际空间站
= 4120 pF的典型。
•内置栅极保护二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
门源电压*
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） **
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
* F = 20 kHz时，占空比
≤
10 ％ （ +侧）
** PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
V
DSS
V
GSS （AC）的
V
GSS （DC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
–60
m20
–20, 0
m30
m120
35
2.0
150
-55到+150
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
1 2 3
0.7 ± 0.1
2.54
13.5最小。
2.5 ± 0.1
0.65 ± 0.1
1.门
2.漏
3.源
漏
体
二极管
来源
1.3 ± 0.2
1.5 ± 0.2
2.54
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
3.57
62.5
° C / W
° C / W
MP- 45F （隔离TO- 220 ）
门
栅极保护
二极管
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当这种光的装置
实际上可以使用的，在外部需要一个addtional保护circiut如果电压超过额定电压可施加
给该设备。
一号文件D11267EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1997年十一月ñ
日本印刷
12.0 ± 0.2
R
DS(on)1
= 30 mΩ以下。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –15 A)
15.0 ± 0.3
©
1997
NEC [ NEC ]
