数据表
MOS场效应
2SJ557
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该2SJ557是，它们可以直接被驱动的开关装置
由4 V电源。
该2SJ557具有低导通电阻和出色
切换特性，并适合于应用程序，例如
随着便携式机器的电源开关等。
封装图（单位：mm ）
0.4
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.65
–0.15
+0.1
2.8 ±0.2
3
1.5
0-0.1
1
2
特点
•
可以用4 V电源驱动
•
低通态电阻
R
DS(on)1
= 155 mΩ以下。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –1.0 A)
R
DS(on)2
= 255 mΩ以下。 （V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.0 A)
R
DS(on)3
= 290 mΩ以下。 （V
GS
= -4.0 V，I
D
= –1.0 A)
0.95
0.95
0.65
为0.9〜1.1
1.9
2.9 ±0.2
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
订购信息
产品型号
2SJ557
包
3针微型模具（薄型）
等效电路
漏
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
Note2
–30
–20 / +5
±2.5
±10
0.2
1.25
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
门
保护
二极管
标记： XB
体
二极管
来源
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
安装在FR4板，T
≤
5秒。
备注
P
T2
T
ch
T
英镑
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D13292EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年6月NS CP （ K）
日本印刷
©
1998, 1999
NEC [ NEC ]
