数据表
MOS场效应
2SJ559
P沟道MOS场效应晶体管
对于高速开关
描述
该2SJ559是，它们可以直接被驱动的开关装置
以2.5 V电源。
该2SJ559具有优异的开关特性，并且是
适于用作高速开关器件在数字
电路。
封装图（单位：mm ）
0.3 ± 0.05
0.1
+0.1
–0.05
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
D
0-0.1
G
0.2
0.5
+0.1
–0
特点
•
可以通过一个2.5伏电源来驱动。
•
低栅极截止电压。
S
0.5
0.6
0.75 ± 0.05
1.0
1.6 ± 0.1
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
–30
V
V
A
A
mW
°C
°C
等效电路
漏
#
20
#
0.1
#
0.4
200
150
-55到+150
总功耗
通道温度
储存温度
门
门保护
二极管
来源
内部二极管
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2
2.
安装在3.0厘米的陶瓷基板
备注
×
0.64 mm
标记： C1
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
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文档编号
D13801EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年6月NS CP （ K）
日本印刷
©
1999
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