初步数据表
MOS场效应
2SJ601
开关
P沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SJ601是P沟道MOS场效应晶体管设计的
于电磁，电机和灯驱动器。
订购信息
产品型号
2SJ601
2SJ601-Z
包
TO-251
TO-252
特点
•
低通态电阻：
R
DS(on)1
= 31 mΩ以下。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –18 A)
R
DS(on)2
= 46 mΩ以下。 （V
GS
= -4.0 V，I
D
= –18 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3300 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
•
TO- 251 / TO- 252封装
(TO-251)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
GS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
–60
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
m
20
m
36
m
120
65
1.0
150
-55到+150
–35
123
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= –20 V
¡
0 V
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文档编号
D14646EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年11月NS CP （ K）
日本印刷
©
2000
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