2SK1960 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1960
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内容描述：	N沟道MOS FET，用于高速开关 [N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING]
分类和应用：	晶体开关晶体管脉冲
文件页数/大小：	6 页 / 62 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SK1960

N沟道MOS FET，用于高速开关

的2SK1960是N沟道纵型MOS场效应管。因为

它可以由一个电压低至1.5V的驱动，它是不

既要考虑驱动电流，这种场效应管是理想的

致动器的低电流的便携式系统，例如头戴耳机

音响和摄像机。

包装尺寸（单位：mm ）

4.5 ±0.1

1.6 ±0.2

1.5 ±0.1

•门可以通过1.5 V驱动

•低导通电阻

DS （ ON）

= 0.8

Ω

马克斯。

DS （ ON）

= 0.2

Ω

马克斯。

@ V

= 1.5 V，I

= 0.1 A

@ V

= 4.0 V，I

= 1.5 A

0.8分钟。

特点

0.42 ±0.06

1.5 0.47

±0.06

3.0

0.41

+0.03

–0.05

标记： NR

等效CURCUIT

漏极（四）

栅极（G ）

门

保护

二极管

源极（S ）

国内

二极管

引脚连接

S：源

D：漏

G：门

绝对最大额定值（T

= 25 ˚C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

≤

10毫秒，占空比

≤

50 %

16厘米

0.7毫米陶瓷基板使用

= 0

测试条件

等级

±7.0

±3.0

±6.0

2.0

150

-55到+150

单位

˚C

一号文件D11223EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期1996年P月

日本印刷

4.0 ±0.25

2.5 ±0.1

1996

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