欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK2054 参数 Datasheet PDF下载

2SK2054图片预览
型号: 2SK2054
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道MOS FET,用于高速开关 [N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 6 页 / 60 K
品牌: NEC [ NEC ]
 浏览型号2SK2054的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2054的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2054的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2054的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2054的Datasheet PDF文件第6页  
数据表
MOS场效应
2SK2054
N沟道MOS FET
对于高速切换
的2SK2054是一个N沟道纵型MOS场效应管和
是可通过的输出直接驱动开关元件
一个IC工作在5 V.
本产品具有低导通电阻和高超的切换
特点,是理想的驱动执行器和DC / DC
转换器。
包装尺寸(单位:mm )
5.7 ±0.1
2.0 ±0.2
1.5 ±0.1
3.65 ±0.1
特点
•新的封装的小信号和电源之间的中间
车型
•可通过5 V集成电路输出直接驱动
•低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.25
MAX 。 @V
GS
= 4 V,I
D
= 1.5 A
R
DS ( ON)
= 0.20
MAX 。 @V
GS
= 10 V,I
D
= 1.5 A
1.0
0.5 ±0.1
S
D
0.85
±0.1
G
5.4 ±0.25
0.55
0.5 ±0.1
0.4 ±0.05
2.1
4.2
标记: NA2
等效电路
漏极(四)
栅极(G )
保护
二极管
源极(S )
国内
二极管
引脚连接
S:源
D:漏
G:门
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
PW
10毫秒,
占空比
50 %
7.5厘米
2
×
0.7mm时,所使用的陶瓷基片
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
等级
60
±20
±3.0
±6.0
单位
V
V
A
A
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
2.0
150
-55到+150
W
˚C
˚C
一号文件D11225EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996