2SK2141 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2141
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内容描述：	切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	8 页 / 100 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SK2141

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

该2SK2141是N沟道功率MOS场效应晶体管

器设计用于高电压开关应用。

包装尺寸

（单位：毫米）

特点

10.0 ± 0.3

•

φ3.2

± 0.2

4.5 ± 0.2

2.7 ± 0.2

低通态电阻

DS （ ON）

= 1.1

Ω

MAX 。（V

= 10 V，I

= 3.0 A)

15.0 ± 0.3

国际空间站

= 1150 pF的典型。

3 ± 0.1

1 2 3

4 ± 0.2

高雪崩能力评级

隔离TO- 220 （ MP - 45F ）封装

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

600

±30

±6.0

±24

2.0

-55到+150

150

6.0

°C

1 2 3

2.54 TYP 。

0.7 ± 0.1

13.5最小。

0.65 ± 0.1

绝对最大额定值（T

= 25

°C)

总功率耗散（T

= 25

°C)

总功率耗散（T

= 25

°C)

储存温度

通道温度

单雪崩电流

单雪崩能量

* PW

≤

S，占空比

≤

**起始物为

= 25

°C,

= 25

Ω,

= 20 V

→

1.3 ± 0.2

1.5 ± 0.2

2.54 TYP 。

12.0 ± 0.2

2.5 ± 0.1

英镑

1.门

2.漏

3.源

隔离TO- 220 （ MP- 45F ）

漏极（四）

连接的栅极和源极之间的二极管

晶体管作为抗ESD的保护。当该装置

实际使用时，一个额外的保护电路是外部

如果电压超过额定电压可以是需要

施加到该装置。

源极（S ）

体二极管

栅极（G ）

文件编号TC- 2514

（外径编号TC- 8073 ）

发布日期1995年P月

日本印刷

1995

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