数据表
MOS场效应
2SK2159
N沟道MOS FET
对于高速切换
的2SK2159是N沟道纵型MOS场效应管featur-
荷兰国际集团的操作电压低至1.5V。因为它可以
驱动上的低电压，这是没有必要考虑
驱动电流，该2SK2159是适用于驱动致动器
低电压便携式系统，如立体声耳机套
和摄像机等。
0.8分钟。
包装尺寸
（单位：毫米）
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
4.0
±
0.25
2.5
±
0.1
1.5
±
0.1
1
0.42
±
0.06
2
3
特点
•能够驱动门与1.5 V
•小ř
DS （ ON）
R
DS （ ON）
= 0.7
Ω
MAX 。 @V
GS
= 1.5 V，I
D
= 0.1 A
R
DS （ ON）
= 0.3
Ω
MAX 。 @V
GS
= 4.0 V，I
D
= 1.0 A
0.47
1.5
±
0.06
3.0
0.42
±
0.06
0.41
+0.03
–0.05
等效电路
2
3
栅极保护
二极管
1
内部二极管
引脚连接
1.源极（S ）
2.漏极（D ）
标记： NW
三栅极（G）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ˚C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
≤
10毫秒，
占空比
≤
50 %
安装在16厘米
2
×
0.7毫米陶瓷基片。
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
评级
60
±14
±2.0
±4.0
单位
V
V
A
A
总功耗
通道温度
储存温度
P
T
T
ch
T
英镑
2.0
150
-55到+150
W
˚C
˚C
一号文件D11235EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1996年P月
日本印刷
©
1996
NEC [ NEC ]
