数据表
MOS场效应
2SK2355 ， 2SK2355 -Z / 2SK2356 ， 2SK2356 -Z
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2355 ， 2SK2355 -Z / 2SK2356 ， 2SK2356 - Z是N沟道
MOS场效应晶体管设计的高电压开关
应用程序。
3.0 ±0.3
包装尺寸
（以毫米）
10.6 MAX 。
3.6 ±0.2
10.0
4.8最大。
1.3 ±0.2
5.9 MIN 。
1 2 3
•
低导通电阻
2SK2355 ，R
DS （ ON）
= 1.4
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A)
2SK2356 ，R
DS （ ON）
= 1.5
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A)
4
12.7 MIN 。 15.5 MAX 。
特点
6.0 MAX 。
•
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 670 pF的典型。
•
高雪崩能力评级
绝对最大额定值（T
A
= 25 ˚C)
漏源极电压（ 2SK2355 / 2356 ）
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 ˚C)
总功率耗散（T
a
= 25 ˚C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
450/500
±30
±5.0
±20
50
1.5
150
5.0
17.4
V
V
A
A
W
1.3 ±0.2
0.75 ±0.1
2.54
0.5 ±0.2
2.8 ±0.2
2.54
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
JEDEC ： TO- 220AB
MP -25（ TO-220 ）
(10.0)
4.8最大。
1.3 ±0.2
1.5最大。
4
°C
A
mJ
-55到+150
°C
1.0 ±0.5
W
1.4 ±0.2
1.0 ±0.3
(2.54) (2.54)
1 2 3
8.5 ±0.2
)
5R )
0. .8R
( 0
(
1.1 ±0.2
3.0 ±0.5
0.5 ±0.2
MP- 25Z （ TO- 220表面贴装）
漏
2.8 ±0.2
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
散热片（漏）
体
二极管
门
来源
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一号文件D11391EJ3V0DS00 （第3版）
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发布日期1998年3月ñ CP （ K）
日本印刷
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1994
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