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2SK2361 参数 Datasheet PDF下载

2SK2361图片预览
型号: 2SK2361
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内容描述: 切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 8 页 / 116 K
品牌: NEC [ NEC ]
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2SK2361/2SK2362
电气特性(T
A
= 25 ˚C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS ( ON)
分钟。
典型值。
0.7
0.8
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS (关闭)
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
1050
200
26
15
24
50
14
26
6.1
12
1.0
350
2.0
2.5
3.0
100
±100
马克斯。
0.9
1.0
3.5
单位
V
S
测试条件
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
2SK2361
2SK2362
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 5.0 A
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 10 V
V
DD
= 150 V
R
G
= 10
R
L
= 30
I
D
= 10 A
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
I
F
= 10 A,V
GS
= 0
的di / dt = 50A /
µ
s
µ
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
µ
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG
V
GS
= 20 - 0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
G
= 10
R
L
V
GS
电波表
V
GS
0
10 %
V
GS (上)
90 %
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
t
T = 1美元
占空比
1 %
I
D
电波表
0
10 %
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
10 %
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
该应用电路及其参数仅供参考,并不用于实际设计中的应用。
2