数据表
MOS场效应
2SK2363/2SK2364
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2363 / 2SK2364是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电压开关应用。
包装尺寸
(以毫米)
特点
10.0±0.3
•
低导通电阻
2SK2363 ,R
DS ( ON)
= 0.5
Ω
(V
GS
= 10 V,I
D
= 4.0 A)
2SK2364 ,R
DS ( ON)
= 0.6
Ω
(V
GS
= 10 V,I
D
= 4.0 A)
3.2±0.2
4.5±0.2
2.7±0.2
漏源极电压( 2SK2363 / 2SK2364 )
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲) *
总功率耗散(T
c
= 25 ˚C)
总功率耗散(T
A
= 25 ˚C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
µ
S,占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
450/500
±30
±8.0
±32
35
2.0
150
8.0
320
V
V
A
A
W
W
˚C
A
mJ
1 2 3
0.7±0.1
2.54
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54
13.5MIN.
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
4±0.2
12.0±0.2
•
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1600 pF的典型。
•
高雪崩能力评级
•
隔离的TO-220封装
15.0±0.3
3±0.1
2.5±0.1
0.65±0.1
1.门
2.漏
3.源
-55〜 + 150℃
MP- 45F (隔离TO- 220 )
漏
**
起始物为
ch
= 25 ° C,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0
体
二极管
门
来源
文件编号TC- 2504A
( O. D.编号TC- 8063A )
发布日期1995年P月
日本印刷
©
1994