数据表
MOS场效应晶体管
2SK2365/2SK2366
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2365 ， 2SK2365 -Z / 2SK2366 ， 2SK2366 - Z是N沟道
MOS场效应晶体管设计的高电压开关
3.0 ± 0.3
包装尺寸
（单位：毫米）
10.6 MAX 。
3.6 ± 0.2
10.0
5.9 MIN 。
12.7 MIN 。 15.5 MAX 。
应用程序。
4.8最大。
1.3 ± 0.2
特点
•
低导通电阻
2SK2365 ，R
DS （ ON）
= 0.5
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
2SK2366 ，R
DS （ ON）
= 0.6
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
4
1 2 3
•
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1 600 pF的典型
.
•
高雪崩能力评级
•
隔离的TO-220封装
绝对最大额定值（T
A
= 25 ˚C)
漏源极电压（ 2SK2365 / 2SK2366 ）
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 ˚C)
总功率耗散（T
A
= 25 ˚C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
450/500
±30
±10
±40
75
1.5
150
10
143
V
V
A
A
W
W
˚C
A
mJ
6.0 MAX 。
1.3 ± 0.2
0.75 ± 0.1
2.54
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
2.54
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
JEDEC ： TO- 220AB
MP -25（ TO-220 ）
(10.0)
4
1.0 ± 0.5
8.5 ± 0.2
1.5最大。
4.8最大。
1.3 ± 0.2
1.4 ± 0.2
-55〜 + 150℃
1.0 ± 0.3
(2.54) (2.54)
1 2 3
1.1 ± 0.4
3.0 ± 0.5
R) )
.5 8R
(0 0.
(
0.5 ± 0.2
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0
2.8 ± 0.2
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
散热片（漏）
MP- 25Z （表面贴装）
漏
体
二极管
门
来源
文件编号TC -2503
（ O. D.编号TC- 8062 ）
发布日期1995年P月
日本印刷
©
1995
NEC [ NEC ]
