数据表
MOS场效应晶体管
2SK2367/2SK2368
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK2367 / 2SK2368是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电压开关应用。
包装尺寸
（以毫米）
1.0
15.7最大。
4
3.2±0.2
4.7 MAX 。
1.5
特点
2SK2368 ，R
DS （ ON）
= 0.6
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A)
绝对最大额定值（T
A
= 25 ˚C)
漏源极电压（ 2SK2367 / 2SK2368 ）
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功率耗散（T
c
= 25 ˚C)
总功率耗散（T
A
= 25 ˚C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流**
单雪崩能量**
*
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
450/500
±30
±15
±60
120
3.0
150
15
161
V
V
A
A
W
W
˚C
A
mJ
19分钟。
3.0±0.2
•
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1 600 pF的典型。
•
高雪崩能力评级
1
2
3
2.2±0.2
5.45
1.0±0.2
5.45
4.5±0.2
2SK2367 ，R
DS （ ON）
= 0.5
Ω
(V
GS
= 10 V，I
D
= 8.0 A)
20.0±0.2
6.0
0.6±0.1
2.8±0.1
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
MP-88
漏
-55〜 + 150℃
体
二极管
门
**
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0
来源
文件编号TC- 2506
（ O. D.编号TC- 8065 ）
发布日期1994年P月
日本印刷
©
7.0
•
低导通电阻
1995
1994
NEC [ NEC ]
