2SK2412 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2412
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内容描述：	切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 116 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SK2412

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

该2SK2412是N沟道MOS场效应晶体管DE-

签名用于高速开关应用。

包装尺寸

（单位：毫米）

10.0 ±0.3

4.5 ±0.2

3.2 ±0.2

2.7 ±0.2

特点

•

低导通电阻

DS(on)1

= 70 mΩ以下。（ @ V

= 10 V，I

= 10 A)

15.0 ±0.3

3 ±0.1

4 ±0.2

12.0 ±0.2

13.5

分钟。

DS(on)2

= 95 mΩ以下。（ @ V

= 4 V，I

= 10 A)

•

低C

国际空间站

= 860 pF的典型。

•

内置G -S门保护二极管

•

高雪崩能力评级

质量等级

标准

请参考"Quality等级NEC半导体Devices" （文档

数IEI - 1209 ）由NEC公司公布的了解

质量等级的器件和推荐规范

应用程序。

0.7 ±0.1

2.54

1.3 ±0.2

1.5 ±0.2

2.54

0.65 ±0.1

2.5 ±0.1

绝对最大额定值（T

= 25 ˚C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲） *

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

±20

±80

2.0

150

22.5

˚C

门

1 2 3

1.门

2.漏

3.源

MP- 45F （隔离TO- 220 ）

漏

总功率耗散（T

= 25℃） P

总功率耗散（T

= 25℃） P

通道温度

储存温度

单雪崩电流**

单雪崩能量**

≤

S，占空比

≤

1 %

英镑

-55〜 + 150℃

体

二极管

栅极保护

二极管

来源

起始物为

= 25 ° C，R

= 25

Ω,

= 20 V

→

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

文件编号TC- 2493

（ O. D.编号TC- 8031 ）

发布日期1994年P月

日本印刷

1994

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