2SK2480 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2480
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内容描述：	切换N沟道功率MOS FET工业用 [SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 118 K
品牌：	NEC [ NEC ]

数据表

MOS场效应

2SK2480

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

该2SK2480是N沟道MOS场效应晶体管设计的

对于高压开关的应用程序。

包装尺寸

（以毫米）

特点

10.0±0.3

•

低导通电阻

DS （ ON）

= 4.0

Ω

= 10 V，I

= 2.0 A)

15.0±0.3

3.2±0.2

4.5±0.2

2.7±0.2

3±0.1

4±0.2

绝对最大额定值（T

= 25 ˚C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲） *

总功率耗散（T

= 25 ˚C)

总功率耗散（T

= 25 ˚C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流**

单雪崩能量**

≤

S，占空比

≤

1 %

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

900

±30

±3.0

±12

2.0

150

3.0

37.1

˚C

1 2 3

0.7±0.1

2.54

1.3±0.2

1.5±0.2

2.54

13.5MIN.

12.0±0.2

•

低C

国际空间站

= 900 pF的典型。

•

高雪崩能力评级

•

孤立的TO-220封装

2.5±0.1

0.65±0.1

1.门

2.漏

3.源

-55〜 + 150℃

起始物为

= 25 ° C，R

= 25

Ω,

= 20 V

→

MP- 45F （隔离TO- 220 ）

漏

体

二极管

门

来源

一号文件D10272EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1995年P月

日本印刷

1995

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