数据表
MOS场效应
2SK2858
N沟道MOS场效应晶体管
对于高速开关
描述
的2SK2858是它可以直接由一个被驱动的开关装置
2.5 V的电源。
的2SK2858具有优异的开关特性，并适合于
用在数字电路的高速开关装置。
封装图（单位：mm ）
0.3
+0.1
–0
2.1 ± 0.1
1.25 ± 0.1
0.65
0.65
•
可以通过一个2.5 V的电源来驱动
•
低栅极截止电压
1
3
0.3
记号
0.15
+0.1
–0.05
产品型号
2SK2858
包
SC-70(SSP)
0.9 ± 0.1
订购信息
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
5
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±0.1
±0.4
150
150
-55到+150
V
V
A
A
mW
°C
°C
门
门
保护
二极管
标记： G24
等效电路
漏
电极
连接
1.Source
国内
2.Gate
二极管
3.Drain
总功耗
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
备注
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
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文档编号
D11706EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1999年8月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
0至1.1
1996, 1999
0.3
+0.1
–0
特点
2.0 ± 0.2
2
NEC [ NEC ]
