数据表
MOS场效应晶体管
2SK2941
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
本产品是正香奈儿MOS场效应晶体管设计的高
电流开关应用。
包装尺寸
inmillimeters
3.0±0.3
特征
•低导通电阻
R
DS(on)1
= 14 mΩ的典型值。 (V
GS
= 10 V,I
D
=18 A)
R
DS(on)2
= 22 mΩ的典型值。 (V
GS
= 4 V,I
D
= 18 A)
•低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1250 pF的典型。
10.6 MAX 。
3.6±0.2
10.0
5.9 MIN 。
12.7 MIN 。 15.5 MAX 。
4.8最大。
1.3±0.2
4
1 2 3
1.3±0.2
6.0 MAX 。
•内置G -S保护二极管
0.5±0.2
2.8±0.2
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
最大电压和电流
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲) *
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25 ˚C)
总功率耗散(T
C
= 25 ˚C)
最高温度
通道温度
储存温度
* PW
≤
10
µ
S,占空比
≤
1%
T
ch
T
英镑
150
-55〜 + 125
˚C
˚C
P
T
P
T
1.5
60
W
W
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲
)
30
±20
±35
±140
V
V
A
A
0.75±0.1
2.54
2.54
1.门
2.漏
3.源
4.散热片(漏)
JEDEC : TO- 220AB
MP -25( TO-220 )
漏
门
Dody
二极管
栅极保护
二极管
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当该装置
实际上可以使用的,在外部需要一个addtional保护电路,如果电压超过规定的电压可以施加到
此设备。
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一号文件D11007EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1997 N可
©
1997