数据表
MOS场效应
2SK2984
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
此产物是N-沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
•
低导通电阻
R
DS(on)1
= 10 mΩ
( MAX 。 )
(V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A)
R
DS(on)2
= 15 mΩ
( MAX 。 )
(V
GS
= 4.5 V,I
D
= 20 A)
•
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 2850 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
订购信息
产品型号
2SK2984
2SK2984-S
2SK2984-ZJ
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
绝对最大额定值(T
A
= 25 °C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note3
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±40
±160
1.5
60
150
−55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Note2
总功率耗散(T
A
= 25°C)
总功率耗散(T
c
= 25°C)
通道温度
储存温度
Notes.1
V
GS
= 0 V
2
V
DS
= 0 V
3
PW
≤
10
µ
S,占空比
≤
1 %
.
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一号文件D12356EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1998年10月NS CP ( K)
日本印刷
©
1998