数据表
MOS场效应
2SK3057
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3057
包
隔离TO- 220
描述
本产品是N沟道MOS场效应晶体管
专为高电流开关应用。
特点
•
低通态电阻
R
DS(on)1
= 17 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 23 A)
R
DS(on)2
= 27 mΩ以下。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 23 A)
•
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2100 pF的典型。
•
内置栅极保护二极管
•
孤立的TO-220封装
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS （AC）的
V
GSS （DC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
Note2
Note2
60
±20
+20, –10
±45
±150
30
2.0
150
-55到+150
22.5
50.6
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
c
= 25°C)
总功率耗散（T
a
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V→0
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
4.17
62.5
° C / W
° C / W
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文档编号
D13096EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年3月NS CP （ K）
日本印刷
©
1998
NEC [ NEC ]
