数据表
MOS场效应
2SK3115
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3115是N通道DMOS FET器件,具有低栅极电荷和出色的开关极特,和
专为高电压应用,如开关电源, AC适配器。
特点
•
低栅电荷
Q
G
= 26 NC TYP 。 (V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 6.0 A)
•
栅极电压额定值
±30
V
•
低通态电阻
R
DS ( ON)
= 1.2
Ω
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 3.0 A)
•
雪崩能力评级
订购信息
产品型号
2SK3115
包
隔离TO- 220
5
(隔离TO- 220 )
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
600
±30
±6.0
±24
2.0
35
150
−55
+150
6.0
24
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
A
= 25°C)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 150 V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V
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一号文件D13338EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2001年1月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
©
1998, 2001