数据表
MOS场效应
2SK3116
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该2SK3116是N通道DMOS FET器件，具有一个
低栅极电荷和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如开关电源
电源，交流电源适配器。
订购信息
产品型号
2SK3116
2SK3116-S
2SK3116-ZJ
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
特点
ULOW
栅极电荷
Q
G
= 26 NC TYP 。 （我
D
= 7.5 A，V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V)
-GATE
额定电压
±30
V
ULOW
导通状态电阻
R
DS （ ON）
= 1.2
Ω
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3.75 A)
•雪崩
能力评级
绝对最大额定值（T
A
= 25
°C
)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
600
±30
±7.5
±30
1.5
70
150
−55
+150
7.5
37.5
3.5
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
V / ns的
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
二极管恢复的dv / dt
Note2
Note2
I
AS
E
AS
dv / dt的
Note3
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V ，R
G
= 25
Ω
, V
GS
= 20
→
0 V
3.
I
F
≤
3.0 A，V
钳
= 600 V ， di / dt的
≤
100 A/
µ
S，T
A
= 25°C
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一号文件D13339EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
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1998
NEC [ NEC ]
