数据表
MOS场效应
2SK3304
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3304是，具有一个N沟道MOS FET器件
低栅极电荷和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如开关
电源。
订购信息
产品型号
2SK3304
包
TO-3P
特点
•
低栅极电荷：
Q
G
= 44 NC TYP 。 （V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A)
•
栅极电压等级： ± 30 V
•
低导通电阻：
R
DS （ ON）
= 2.0
Ω
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A)
•
雪崩能力评级
(TO-3P)
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
英镑
Note2
Note2
900
±30
±7
±21
130
3.0
-55到+ 150
7
147
V
V
A
A
W
W
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
µ
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20 V
→
0 V
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D13992EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年6月NS CP （ K）
日本印刷
©
2000
NEC [ NEC ]
